単一の側面の磨かれたGa2O3ウエファーの単結晶の基質中国からのビデオ

Jun 09, 2025

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製品説明: 10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3の単結晶の基質プロダクト等級半導体材料の単一の磨く厚さ0.6~0.8mm FWHM<350arcsec、Ra≤0.3 nm光電子工学装置、絶縁層、および紫外線フィルターをFe添加したガリウム酸化物（Ga2 O3）は大きいbanもっと学ぶ

単一の側面の磨かれたGa2O3ウエファーの単結晶の基質

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JDCD04-001-002

蘇州中国

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

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2インチ自立型SI-GaN基板

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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板製品グレードシングル研磨

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SnドーピングGa2O3ウェーハ単結晶基板10x10mm2

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0.6mm 0.8mmのGa2O3単結晶の基質の単一のポーランド語

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FWHM<350arcsec Ga2O3のウエファーの単結晶の基質の厚さ0.6mmに0.8mm

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片面研磨 Ga2O3 基板単結晶厚さ 0.6mm 0.8mm

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