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0.6mm 0.8mmのGa2O3単結晶の基質の単一のポーランド語
0.6mm 0.8mmのGa2O3単結晶の基質の単一のポーランド語
仕様
原産地 :
蘇州中国
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
型式番号 :
JDCD04-001-001&002
製品名 :
単結晶の基質
オリエンテーション :
（201）
磨かれた表面 :
磨かれる単一の側面
FWHM :
<350arcsec>
RA :
≤0.3nm
厚さ :
0.6~0.8mm
記述

10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3の単結晶の基質プロダクト等級半導体材料の単一の磨く厚さ0.6~0.8mm FWHM<350arcsec、Ra≤0.3 nm光電子工学装置、絶縁層、および紫外線フィルターをFe添加した

ガリウム窒化物（GaN）の基質は良質のsingle-crystal基質である。それは元のHVPE方法および最初に長年にわたり開発されたウエファーの加工技術となされる。特徴は高い結晶、よい均等性および優秀な表面質である。

この検討の目的は最も広く調査された多形の成長、処理および装置性能、β Ga2 O3で最近の前進を要約することである。大きさの輸送の欠陥の役割そして不純物そして光学的性質、ゲートの形成のためのエッチングのような加工の技巧のpタイプの添加および開発のエピタキシアルおよびnanostructures材料、難しさ、接触の形成、誘電体および不動態化は論議される。

ガリウム窒化物の基質--プロダクト レベル
次元 10*15mm 10*10mm
厚さ 0.6~0.8mm
オリエンテーション （201）
添加 Fe Sn
磨かれた表面 磨かれる単一の側面
Resistivity/Nd Na / <9e18>
FWHM <350arcsec>
RA ≤0.3nm
パッケージ 、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

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製品詳細
原産地 :
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受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
型式番号 :
JDCD04-001-001&002
製品名 :
単結晶の基質
オリエンテーション :
（201）
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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製造業者
主な製品 :
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従業員数 :
>100
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