JDCD04-001-002 10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3単結晶の基質プロダクトを等級別にする単一のポーランド語をSn添加した中国からのビデオ

Sep 15, 2024

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製品説明: 10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3単結晶の基質プロダクト等級の単一の磨く厚さ0.6~0.8mm FWHM<350arcsecのRa≤0.3 nmの抵抗をSn添加した 90年代以来、ずっとそれは発光ダイオード（LED）で一般に使用されている。ガリウム窒化物はBlu-raもっと学ぶ

JDCD04-001-002 10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3単結晶の基質プロダクトを等級別にする単一のポーランド語をSn添加した

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JDCD04-001-002

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2インチ自立型SI-GaN基板

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

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12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板製品グレードシングル研磨

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SnドーピングGa2O3ウェーハ単結晶基板10x10mm2

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単一の側面の磨かれたGa2O3ウエファーの単結晶の基質

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FWHM<350arcsec Ga2O3のウエファーの単結晶の基質の厚さ0.6mmに0.8mm

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