May 26, 2025
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製品説明: 4 インチ N 型 UID ドープ GaN on サファイア ウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャル ウェーハ   たとえば、GaN は、非線形光周波数倍増を使用せずに、紫色 (405 nm) レーザー ダイオードを可能にする基板です。電離もっと学ぶ
4 インチ N 型 UID ドープ GaN オン サファイア ウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャル ウェーハ

4 インチ N 型 UID ドープ GaN オン サファイア ウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャル ウェーハ
JDWY03-001-025
蘇州中国
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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