M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）中国からのビデオ

Sep 15, 2024

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製品説明: 10*10.5mmの²のC表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0=""> 概観特徴は高い結晶、よい均等性および優秀な表面質である。GaNの基質はLDの適用（すみれ色、青および緑）のために使用される。なお、開発は力および高周波電子デバイスの塗布のために進もっと学ぶ

M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

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JDCD01-001-001

蘇州中国

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