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M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）
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仕様
原産地 :
蘇州中国
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
10000pcs/Month
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
型式番号 :
JDCD01-001-001
次元 :
10×10.5mm²
厚さ :
350 ±25µm
オリエンテーション :
C面(0001) M軸方向へのオフ角 0.35 ±0.15°
TTV :
≤ 10µm
弓 :
- 10µmの≤の弓≤ 10µm
マクロ欠陥密度 :
0cm⁻ ²
使用可能な区域 :
> 90% （端の排除）
製品名 :
GaNのエピタキシアル ウエファー
記述

10*10.5mmの²のC表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0="">


概観
特徴は高い結晶、よい均等性および優秀な表面質である。GaNの基質はLDの適用（すみれ色、青および緑）のために使用される。
なお、開発は力および高周波電子デバイスの塗布のために進歩した。

10 x 10.5 mm2支えがないGaNの基質
項目 GaN FSC U S10 GaN FSC N S10 GaN FS C SIS10

M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

注目:
円アークの角度（R < 2="" mm="">

次元 10 x 10.5 mm2
厚さ 350 ±25 µm
オリエンテーション M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れたCの平面（0001）
伝導のタイプ Nタイプ Nタイプ Semi-Insulating
抵抗（300K） < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10のµm
弓 - 10 µmの≤の弓≤ 10のµm
Gaの表面表面の粗さ < 0=""> または < 0="">
Nの表面表面の粗さ 0.5の~1.5 μm
選択:1~3 nm （良い地面）; < 0="">
転位密度 1つx 105から3つx 106のcm-2から（CLによって計算される） *
マクロ欠陥密度 0のcm-2
使用可能な区域 > 90% （端の排除）
パッケージ 、6 PCSの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

中国（GB/T32282-2015）の*Nationalの標準

M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

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M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

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製品詳細
原産地 :
蘇州中国
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T/T
供給の能力 :
10000pcs/Month
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
型式番号 :
JDCD01-001-001
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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4 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2020
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
従業員数 :
>100
認証レベル :
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