10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質の厚さ350の±25 µm TTVの≤ 10のµm 中国からのビデオ

Sep 15, 2024

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製品説明: 10*10.5mm2 C表面はnタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗をSi添加した < 0=""> 概観ガリウム窒化物（GaN）の基質は良質のsingle-crystal基質である。それは元のHVPE方法および最初に長年にわたり開発されたウエファーの加工技術となされる。特徴は高い結もっと学ぶ

10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質の厚さ350の±25 µm TTVの≤ 10のµm

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M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

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