12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した中国からのビデオ

Jun 09, 2025

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製品説明: （1 - 100） ±0.1oの12.5の± 1 mm 2インチの支えがないN-GaNの基質GaN FSC N C50 SSP 2inch C表面はnタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗をSi添加した < 0=""> GaNの1 μm厚いSi添加されたフィルムの成長はN2/Arの大もっと学ぶ

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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蘇州中国

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2インチ自立型SI-GaN基板

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サファイアSSPの平らなサファイアの675um 4インチ青いLED GaNのエピタキシアルウエファーへの625um

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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

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M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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