4 インチ青色 LED GaN エピタキシャルウェーハ C 面フラットサファイア中国からのビデオ

May 26, 2025

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製品説明: サファイア SSP C 面 (0001) 上の 4 インチ青色 LED GaN エピタキシャルウエハー M 軸方向へのオフ角度 0.2 ± 0.1° サファイアSSP上の4インチ青色LED GaNエピタキシャルウェーハ LED 技術で青色放射を使用すると、2 つの特定の利点が得らもっと学ぶ

4 インチ青色 LED GaN エピタキシャルウェーハ C 面フラットサファイア

4 インチ青色 LED GaN エピタキシャルウェーハ C 面フラットサファイア

JDWY03-001-031

蘇州中国

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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2インチ自立型SI-GaN基板

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12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

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M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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バッチを交換する

4インチFeドーピングフリースタンドガン基板ガリウムナイトリド

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高電圧高周波チップの生産に不可欠なGaNエピタキシアル・ウェーファー

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