10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨 厚さ 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.5nm 抵抗 1.53E+18Ω/cm-3 光電子デバイス、半導体材料の絶縁層、およびUVフィルター
シリコンベースのデバイスは比較的効率的なデバイスを製造することができましたが、窒化ガリウムの改善された特性により、熱によるエネルギー損失がはるかに少ないという利点が GaN 半導体にもたらされます。バンドギャップが広いため、GaN デバイスはシリコンよりもはるかに高い温度に耐えることができ、お気に入りのデバイス全体でより高いレベルのエネルギー効率を実現できます。
窒化ガリウム基板 -- 研究レベル | ||
寸法 | 10×15mm | 10×10mm |
厚さ | 0.6~0.8mm | |
オリエンテーション | (010) | |
ドーピング | スン | |
研磨面 | 片面研磨 | |
比抵抗/Nd-Na | 2.00E+17 | 1.53E+18 |
FWHM | <350秒角 | |
ラー | ≤0.5nm | |
パッケージ | 窒素雰囲気下のクラス100のクリーンルーム環境でパッケージング |
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
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