半絶縁のAINサファイアのウエファーのサファイアのシングルまたはダブルの側面は磨いた中国からのビデオ

Jun 09, 2025

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製品説明: （002） ≤80arcsec （102） ≤650arcsecの紫外線消毒LEDの破片のサファイアのウエファーSSP XRD FWHMでAIN 2インチの厚いフィルム（1,2）のμm 材料は優秀な熱伝導性のよい電気絶縁体である。その高い絶縁の特性はそれにいろいろな適用のための優秀な選択をすもっと学ぶ

半絶縁のAINサファイアのウエファーのサファイアのシングルまたはダブルの側面は磨いた

半絶縁のAINサファイアのウエファーのサファイアのシングルまたはダブルの側面は磨いた

蘇州中国

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

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12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

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2インチ自立型SI-GaN基板

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バッチを交換する

1" AlN アルミニウム窒化物のウエファー 400um S/P/R の等級の化学研磨

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25.4mm 1inch AlNの単結晶400um 2Hの結晶形

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1inch AlNの単結晶の窒化アルミニウムのウエファー450um

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磨かれるサファイアのウエファーの片面または両面の C 面 AIN

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サファイアのウエファーの表面の半絶縁性窒化アルミニウムのウエファーAIN

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