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1inch AlNの単結晶の窒化アルミニウムのウエファー450um
1inch AlNの単結晶の窒化アルミニウムのウエファー450um
仕様
型式番号 :
JDCD02-001-001
原産地 :
蘇州中国
支払の言葉 :
T/T
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
TUA :
≥90%
Polytype :
{0001}±0.5°
製品名 :
窒化アルミニウムのウエファー
直径 :
25.4±0.5mm
厚さ :
400±50μm
結晶形 :
2H
記述

JDCD02-001-001 1inch AlNの単結晶400±50μm S/P/Rの等級

AlNの基質は優秀な熱抵抗、高いmechnical強さ、摩耗抵抗および小さい誘電性損失がある最も普及した陶磁器の基質の1つである。AlNの基質の表面はかなり滑らかで、低い気孔率である。窒化アルミニウムにアルミナの基質と比較されるより高い熱伝導性がそれである高い約7から8回ある。AlNの基質は優秀な電子パッケージ材料である。

窒化アルミニウムの薄膜は高温に対して抵抗力があるアルミニウムの層である。高温の間に、アルミニウムのこの層は材料の保護を助ける。高圧環境では、それは不安定である場合もある。それは980degCまで温度の範囲に抗できる。低レベルで、それは人間に有毒である場合もある。それは携帯電話でも使用される。その特性は非常に多様である。

1inch窒化アルミニウムの単結晶の基質
水晶指定 パラメータ値
直径（mm） 25.4±0.5
厚さ（μm） 400±50
結晶形 2H
Polytype {0001} ±0.5°
表面に磨くこと アルミニウム表面:化学に磨くこと（二重に磨くことはカスタマイズすることができる）
荒さ

Alの表面:≤0.5nm

Nの表面（背部）:≤1.2μm
出現 端を置く円ベルト
質等級 Sの等級（極度の） Pの等級（Prouduction） Rの等級（研究）
HRXRDの半分の高さのwidth@ {0002} （arcsec） ≤150 ≤300 ≤500
HRXRDの半分の高さのwidth@ {10-12} （arcsec） ≤100 ≤200 ≤400
吸収coefficient@265nm （cm-1） ≤50 ≤70 ≤100
端の排除（mm） 1 1 1
刻み目 / / /
破片 / / ≤3累積≤1.0mm
TUA ≥90%
主要な位置の端のオリエンテーション {10-10} ±5.0°
二次設置の表面のオリエンテーション

Alの表面:主要な位置edge90°±5°の方に右回りに回しなさい

Nの表面:主要な位置edge90°±5°の方に左回りに回しなさい
TTV （μm） ≤30
ゆがみ（μm） ≤30
弓（μm） ≤30
ひび いいえ、肉眼、強いライト
汚染 いいえ、肉眼、放射
レーザーのコーディング Nの表面は主要な設置の端に、平行になる
パッケージ 単一ウエファー箱

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

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製品詳細
型式番号 :
JDCD02-001-001
原産地 :
蘇州中国
支払の言葉 :
T/T
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
TUA :
≥90%
Polytype :
{0001}±0.5°
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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事業形態 :
製造業者
主な製品 :
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従業員数 :
>100
認証レベル :
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