単結晶窒化ガリウム半導体ウェーハ TTV 10um 中国からのビデオ

Jun 09, 2025

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製品説明: 5×10.5mm2M面アンドープn型自立GaN単結晶基板比抵抗＜0.1Ω・cm パワーデバイス/レーザーウエハー概要GaN 基板は、損傷がなく、非常に平坦 (Rms < 0.2 nm)、制御された表面配向、制御された原子ステップ表面を備えています。エピタキシャル成長にもっと学ぶ

単結晶窒化ガリウム半導体ウェーハ TTV 10um

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JDCD01-001-007

蘇州中国

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

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2インチ自立型SI-GaN基板

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M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

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3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

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バッチを交換する

4インチFeドーピングフリースタンドガン基板ガリウムナイトリド

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GaN 2 インチガリウムナイトリドシングルクリスタル基板

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625um から 675um 4 インチブルー LED ガリウムナイトリッド GaN エピタキシアル・ウェーファー・オン・ザファイア SSP フラット・ザファ

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高電圧高周波チップの生産に不可欠なGaNエピタキシアル・ウェーファー

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LEDレーザーPINデバイスのための2 ′′6インチN型ガナオンサファイアエピタキシアルウェーファー

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