4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハパワーエレクトロニクス用中国からのビデオ

Aug 04, 2025

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製品説明: SiC基板 10×10mm 製品概要 4H-N型 SiC基板 10×10mm 小型ウエファー形状と寸法がカスタマイズ可能 SiC 10×10小ウエファーは,第三世代の半導体材料シリコンカービード (SiC) をベースに開発された高性能半導体製品である.物理蒸気輸送 (PVT)もっと学ぶ

4H-N型SiC基板 10x10mmウェーハパワーエレクトロニクス用

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SiC基板 10×10mm

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

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オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

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4H-SEMI シリコンカービッド SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiCウェーファー

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4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

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4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

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半導体用精密サファイア放電針角型尖端

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4H-SEMIは装置材料のためのSicのウエファーレンズ2INCH 3INCH 4INCH 9.0の硬度を磨いた

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高く熱のカスタマイズされたサイズの正方形Sicの破片の低い格子不適当な組み合わせ

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