オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um 中国からのビデオ

Jun 05, 2025

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製品説明: オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um 製品説明 SiC基質は半導体技術の分野における重要な材料であり,ユニークな特性と有望な応用を提供しています.シリコンカービッド (SiC) は,優れた電気性能で知られる広い帯域半導体材料です.熱性や機械性がある 4H-N もっと学ぶ

オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

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SiC基板

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シリコン・カービッド・ウェーファー 2インチ 4インチ 6インチ 8インチ工業用表面粗さ ≤0.2nm

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4H-SEMI シリコンカービッド SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiCウェーファー

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4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

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4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

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150mmの長さのサファイアの管の耐久性のカスタマイズされた設計および形

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透明なSICの水晶の光学レンズ4H-SEMI Customziedのサイズ

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HPSI 4H-SEMI透明な無色のカスタマイズされたSICのレンズ

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5x40mmカスタマイズされた形sicの水晶ウエファー4H-N Sicの基質の破片

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4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級

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カスタマイズされた厚さ1.5mm 4" 4H-N sicの水晶のようにカットの空白のウエファー

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