3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板中国からのビデオ

Jan 06, 2025

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製品説明: 3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板 SICウエフルの特徴: ブロードバンドギャップシリコンカービッド半導体は,高電力電気機器の制御と切り替えに使用されます.それらは伝統的なシリコン装置に比べていくつかの利点を提供しもっと学ぶ

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

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オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

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4H-SEMI シリコンカービッド SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiCウェーファー

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4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

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4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

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Wafer 薄めシステム精密薄め装置 SiC Si Wafer 互換性 4 -12インチ Wafer 容量

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カスタムサファイアディスク合成サファイア洗濯機磨きバブルフリー耐磨

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