4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質中国からのビデオ

Apr 28, 2025

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製品説明: 高純度 HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm シックウエファー DSP 電源装置産業におけるシリコンカービッドの応用性能ユニットシリコンシリコンカービッド Si SiC ガリウムナイトリド GaNバンドギャップ eV 1.12 3.26 3.41電場 MV/もっと学ぶ

4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

高い純度un-doped 4h-semi

陶磁器

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オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

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4H-SEMI シリコンカービッド SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiCウェーファー

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10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SICの炭化ケイ素Wafersubstrate

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

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4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

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150mmの長さのサファイアの管の耐久性のカスタマイズされた設計および形

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バッチを交換する

透明なSICの水晶の光学レンズ4H-SEMI Customziedのサイズ

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HPSI 4H-SEMI透明な無色のカスタマイズされたSICのレンズ

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5x40mmカスタマイズされた形sicの水晶ウエファー4H-N Sicの基質の破片

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4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級

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カスタマイズされた厚さ1.5mm 4" 4H-N sicの水晶のようにカットの空白のウエファー

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