SiC エピタキシアル・ウェーバー基板半導体産業用 4H-N 中国からのビデオ

Jun 05, 2025

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製品説明: SiCエピタキシアル・ウェーファー基板半導体産業用 4H-N製品説明:シリコンカービード (SiC基板工業用磨材として発見されました. 20世紀半ば頃には,SiC基板LED技術に含まれるようになった.それ以来,その有利な物理的特性により,多くの半導体アプリケーションに拡大した.これらの性質は,半導もっと学ぶ

SiC エピタキシアル・ウェーバー基板半導体産業用 4H-N

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SiC基板

中国

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4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

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4H-SEMI シリコンカービッド SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiCウェーファー

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オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

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4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

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産業用サファイアピンサファイアリフトピン Dia1.6 1.8 レーダーシステムのための高硬度オーダーメイド

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半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級

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高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質

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2インチ6H -探知器のための半炭化ケイ素のウエファーの低い電力の消費

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4H-SEMIは装置材料のためのSicのウエファーレンズ2INCH 3INCH 4INCH 9.0の硬度を磨いた

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高く熱のカスタマイズされたサイズの正方形Sicの破片の低い格子不適当な組み合わせ

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