シリコンカービッド (SiC) 基板 6インチ 8インチレーザーカットのためのテストグレードのウエファー中国からのビデオ

Jun 05, 2025

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製品説明: シリコンカービード (SiC) 基板 6 インチ 8 インチレーザーカット製品説明: Coherent の SiC エピタキシアルウエフルの全般的な提供は,製品開発を加速するだけでなく,生産コストを大幅に削減し,デバイスの全体的なパフォーマンスを向上させます.直径200mmまで柔軟なカスタマイもっと学ぶ

シリコンカービッド (SiC) 基板 6インチ 8インチレーザーカットのためのテストグレードのウエファー

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SiC基板

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オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

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4H-SEMI シリコンカービッド SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiCウェーファー

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4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

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4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

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Wafer 薄めシステム精密薄め装置 SiC Si Wafer 互換性 4 -12インチ Wafer 容量

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透明なSICの水晶の光学レンズ4H-SEMI Customziedのサイズ

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HPSI 4H-SEMI透明な無色のカスタマイズされたSICのレンズ

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5x40mmカスタマイズされた形sicの水晶ウエファー4H-N Sicの基質の破片

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4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級

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カスタマイズされた厚さ1.5mm 4" 4H-N sicの水晶のようにカットの空白のウエファー

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