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4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級
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仕様
型式番号 :
6inch-001
原産地 :
中国
MOQ :
1pcs
供給の能力 :
50pcs/months
受渡し時間 :
40daysの中では
包装の細部 :
、単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
適用 :
、5G導かれるの装置探知器、パワー エレクトロニクス
企業 :
semicondctorのウエファー
材料 :
半導体sic
色 :
緑か白くまたは青
硬度 :
9.0
タイプ :
4H、非添加される6H、添加される
記述

4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SICのウエファーの炭化ケイ素sicの基質の主な模造の等級

粉装置のための6inch 4H-N 500mm 350um sicの基質のウエファー

 

6インチ（直径）、炭化ケイ素（SiC）の基質の指定  
等級 ゼロMPDの等級 生産の等級 研究の等級 模造の等級
直径 150.0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μmか500±25un
ウエファーのオリエンテーション 軸線を離れて:軸線の4H-Nのための4.0° toward< 1120> ±0.5°:6H-SI/4H-SIのための<0001>±0.5°
第一次平たい箱 {10-10} ±5.0°
第一次平らな長さ 47.5 mm±2.5 mm
端の排除 3つのmm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Micropipe密度 ≤1 cm-2 ≤5 cm-2 ≤15 cm-2 ≤100 cm-2
抵抗 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
荒さ ポーランドRa≤1 nm
CMP Ra≤0.5 nm
高輝度ライトでひび どれも 1弾の割り当てられる、≤2 mm 累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm
高輝度ライトによる六角形の版 累積区域≤1% 累積区域≤2% 累積区域≤5%
高輝度ライトによるPolytype区域 どれも 累積area≤2% 累積area≤5%
高輝度ライトによる傷 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷
端の破片 どれも 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ
高輝度ライトによる汚染 どれも

 

 

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私達の会社について
 
上海有名な貿易CO.、株式会社は中国最もよい市である、私達の工場は2014年にウーシー都市で創設される上海市に置き。
私達は電子工学、光学、光電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびcustiomized光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。
それは私達のよいreputatiaonsによって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
 
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製品詳細
型式番号 :
6inch-001
原産地 :
中国
MOQ :
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-1500000
認証レベル :
Verified Supplier
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