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4インチクォーツ・ウェーファー直径 100mm 半導体製造用の溶融シリカ・ウェーファー
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4インチクォーツ・ウェーファー直径 100mm 半導体製造用の溶融シリカ・ウェーファー
仕様
モデル番号 :
4インチ石英ウェーハ
原産地 :
中国
支払条件 :
T/T
供給能力 :
月1000個
配達時間 :
5-8weeks
パッケージの詳細 :
100グレードのクリーンルームでの梱包
直径 :
4インチ（100mm）
厚さ範囲 :
0.5mm~1.5mm
表面粗さ（研磨） :
≤0.5nm
CTE (20-300°C) :
0.55×10−6/°C
記述

 

基本 紹介4インチクォーツ・ウェーフ

わかった4インチクォーツ・ウェーファー直径 100mm 半導体製造用の溶融シリカ・ウェーファー

4インチクォーツ・ウェーファー直径 100mm 半導体製造用の溶融シリカ・ウェーファー

 
 

4インチクォーツウエファー (100mm) は,半導体,光電子,そして高度な光学3インチワッフルと比較して,4インチ仕様では,使用面積が大幅に大きくなり,生産効率が向上し,特にICフォトマスクの批量製造において,高功率レーザー光学MEMSセンサーも

ZMSH4インチ以上のクォーツウエフルの研究開発と製造に特化した

 

- フルサイズのカスタマイズ: 4インチ,6インチ,および8インチウエフをサポートし,非標準サイズ (例えば,四角形,セクター形) が利用可能である.

 

- 高精度加工: 双面極光磨き (Ra≤0.5nm),レーザー切削 (±0.01mmの許容度) と小穴/穴を掘り込みで特殊な形状を付けることを含む.

 

- 機能的治療:反射防止 (AR) コーティング,IR反射防止,ダイヤモンドのような炭素 (DLC) コートなど.

 

- 産業向けソリューション: 半導体レベルでの清潔性 (クラス10),低欠陥密度 (≤0.1/cm2),EUVリトグラフィと量子コンピューティングに最適です.

 

 

 

仕様4インチクォーツウエフラー

 

 

テクニカル用語 仕様
直径 4インチ (100mm)
厚さ範囲 0.5mm~1.5mm
表面の荒さ (磨き) ≤0.5nm
伝達力 @193nm >93%
CTE (20〜300°C) 0.55×10−6/°C
パラレリズム ≤3μm
バキューム互換性 10−10 トール

 

 

 

 

主要な特徴 について4インチクォーツウエフラー

 

 

1. 大きさの精度: TTV≤10μm 100mm直径でプロセスの均一性を確保します.

 

2超低レベルのCTE: 0.55×10−6/°C,高温処理 (例えば,焼却,イオン植入) に適しています.

 

3ブロードバンドの透明性: >93%の伝導性 @193nm (DUV), >90% @3-5μm (IR).

 

4優れた表面品質: ナノスケールリトグラフィーのためのRa≤0.5nmでポリッシュされたダブルサイド.

 

5耐久性が向上した: 選択的な化学強化により,折りたたみの強さは600MPaまで増加します. プラズマ耐性があります.

 

 

 

わかった戦略的応用について4インチクォーツウエフラー

 

 

フィールド 申請
半導体 EUVリトグラフィー光学,フォトマスク基板,3DNANDインターポーザー
高功率レーザー レーザー鏡,パルス圧縮グリッド,ファイバーレーザー端蓋
量子技術 クビットチップキャリア,冷原子トラップのビューポート,単光子探知器基板
航空宇宙 衛星レンズ,放射線抵抗センサー窓,粒子探知器
生物医学 DNAシーケンシングチップ,内視鏡光学,マイクロ流体装置模具

わかった

 

 

パーソナライズ サービス

 

 

ZMSHは4インチクォーツウエフルの端から端までカスタマイズ含め:

 

- 材料の選択: JGS1/JGS2 紫外線等級またはIR等級の溶融シリカ

- 精密加工: ナノスケール・ポーリング (λ/20),レーザー・マイクロ構造化 (±1μm精度)

- 機能性コーティング: AR (193-1064nm),高LIDTレーザーコーティング (>5J/cm2).

- QAサポート: 完全な検査報告 (AOI,干渉測定)

 

 

4インチクォーツ・ウェーファー直径 100mm 半導体製造用の溶融シリカ・ウェーファー4インチクォーツ・ウェーファー直径 100mm 半導体製造用の溶融シリカ・ウェーファー

 

 

 

よくある質問

 

 

1Q: 4インチクォーツウエフルの典型的な厚さ容量は何ですか?

A: 標準的な4インチ (100mm) クォーツウエフは,0.5-1.5mmの範囲で ±0.02mmの厚さ容認を維持し,半導体リトグラフィープロセスの均一性を確保します.

 

 

2Q:MEMSアプリケーションでは なぜ4インチより6インチのクォーツウエフを選びますか?

A: 4インチのウエファは,小さい直径よりも優れたプロセス制御を維持しながら,中小規模のMEMS生産回数に最適なコスト効率を提供します.

 

 

 

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shanghai, shanghai
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事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
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