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​​3インチ光学グレード石英ウェーハ透過率 >92% 半導体ガラス基板​​
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仕様
モデル番号 :
3インチクォーツ・ウェーファー
最低注文量 :
10
供給能力 :
月1000個
配達時間 :
5-8weeks
パッケージの詳細 :
100グレードのクリーンルームでの梱包
厚さの許容度 :
±0.02mm
申請 :
半導体製造 高功率レーザー
記述

コア紹介3インチ石英ウェーハについて

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3インチ光学グレード石英ウェーハ 透過率 >92% 半導体ガラス基板​​

ZMSHは、高度な光電子、MEMS、および半導体用途向けのオーダーメイドソリューションを提供する、カスタム製造された3インチ石英ウェーハを専門としています。 標準的な2インチウェーハとは異なり、3インチ石英ウェーハは、マルチコンポーネント統合のための拡張された表面積を提供し、高性能の精密デバイスを可能にします。 主な特徴は次のとおりです。 ​​

· 材料​​: 高純度溶融シリカ (SiO₂) で、<50 ppmのヒドロキシル含有量で、超低光損失を保証します。

· 寸法​​: カスタム直径 (3.00インチ ±0.02インチ) および厚さ (0.525～1.200 mm、TTV ≤10 μm)。 ​​

· 形状​​: 円形、正方形、または不規則な形状で、非標準の開口部、段付きエッジ、または勾配厚さ。 ​​

· 表面仕上げ​​: 光散乱を最小限に抑えるための超平滑表面 (Ra ≤1.0 nm)。

3インチ石英ウェーハの仕様​​1. 高度なMEMSデバイス​​

arameter仕様 直径
3インチ (76.2mm) 厚さ公差
±0.02mm 表面粗さ
≤1nm (研磨グレード) 193nmでの透過率
>92% CTE (RT-300°C)
0.55×10⁻⁶/°C 平行度
≤5μm 真空適合性
10⁻⁹ Torr ​​主な特性​​

の 3インチ石英ウェーハ​​1. 高度なMEMSデバイス​​

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​​- 広いスペクトル透過率​​: 185 nm (UV) から 3500 nm (IR) までの92%以上の透過率で、UVリソグラフィーと量子センシングに最適です。

- ​​低熱膨張​​: CTE 0.52×10⁻⁶/°Cで、最大1100°Cまで寸法安定性を維持します。

2. ​​機械的および化学的耐性​​

- ​​高硬度​​: モース硬度7で、摩耗や機械的衝撃に強い。

- ​​耐酸性​​: セラミックスよりも30×高い耐久性があり、過酷な化学環境に適しています。

3. ​​電気的性能​​

- ​​絶縁​​: 抵抗率 >10¹⁸ Ω·cmで、高周波回路における寄生容量を最小限に抑えます。

​​- SAW互換性​​: 表面弾性波 (SAW) フィルタ用に最適化されており、正確な切断角度 (例: FCカットの場合は34.33°) があります。

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​​の 3インチ石英ウェーハ​​1. 高度なMEMSデバイス​​

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- 圧力センサー、ジャイロスコープ、インクジェットプリントヘッドは、3インチウェーハを利用して多層統合と熱安定性を実現しています。

2. ​​光電子システム​​

- 低損失の光路を必要とするUVレーザーダイオード、光ファイバーコリメータ、LiDARコンポーネント。

​​3. 半導体パッケージング​​

- CMOSイメージセンサーやRFIC用のウェーハレベルパッケージング (WLP) 基板で、TSV (Through-Silicon Via) 技術をサポートしています。

4. ​​量子技術​​

- ダイヤモンド窒素空孔 (NV) 中心および超伝導量子ビット用の基板で、超低欠陥密度から恩恵を受けています。

石英キャピラリーチューブ: 概要​

ZMSHの石英キャピラリーは、マイクロ流体および光学用途向けに設計されており、次の特徴があります。

- ​​カスタムサイズ​​:

内径50 μmから5 mm、長さ最大300 mm。​​ ​​

ラボオンチップシステムでの生体適合性のために、金属不純物<1 ppm。 ​​ ​​

センサーや光ファイバーへのシームレスな統合のためのレーザー穴あけ、熱成形、および化学エッチング。よくある質問

​​3インチ光学グレード石英ウェーハ透過率 >92% 半導体ガラス基板​​​​3インチ光学グレード石英ウェーハ透過率 >92% 半導体ガラス基板​​

1. Q: なぜ3インチ石英ウェーハを選ぶのですか？​​

A: 3インチ石英ウェーハは、コスト効率と性能のバランスを提供し、高純度溶融シリカ (OH⁻

<50 ppm) と超低熱膨張 (CTE 0.52×10⁻⁶/°C) を備えたMEMSセンサー、光学フィルター、半導体パッケージングの多層統合をサポートしています。​​ ​​

A: UVレーザー光学系、光ファイバーコンポーネント、MEMSジャイロスコープ、および高度な半導体パッケージング (例: TSVおよびWLP) で広く使用されており、その

92%の光透過率<1 nm surface roughness and>を活用しています。

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