8インチサファイアウェーハ 200mm径(±0.2mm)、725µm厚、C面SSP、DSP
この高純度8インチ(200mm)サファイアウェーハは、優れた寸法精度(±0.2mm径、725µm厚)と結晶配向(C面)を特徴とし、要求の厳しい光電子および半導体用途に最適です。99.99%の純度と優れた機械的/熱的安定性を備えたこのウェーハは、LED、レーザーダイオード、RFデバイス製造に最適な基板として機能します。均一な表面仕上げと化学的慣性により、過酷な環境下での信頼性が確保され、その大きな直径はコスト効率の高い大量生産をサポートします。
サファイアウェーハの主な特徴
サファイアウェーハの精密な形状:
サファイアウェーハの 超高純度:
サファイアウェーハの 堅牢な材料特性:
サファイアウェーハの 表面品質:
サファイアウェーハの用途画像
光電子工学におけるサファイアウェーハ:
青色/緑色/白色LED(InGaN/GaNエピタキシー)の基板。
ディスプレイおよび通信におけるレーザーダイオード(エッジ発光/VCSEL)。
サファイアウェーハ in パワーエレクトロニクス:
低誘電損失のため、RFデバイス(5G/6Gアンテナ、パワーアンプ)。
電気自動車用高電子移動度トランジスタ(HEMT)。
サファイアウェーハ in 産業および防衛:
IRウィンドウ、ミサイルドーム(サファイアの中赤外線に対する透明性)。
腐食性/研磨性環境におけるセンサーの保護カバー。
サファイアウェーハ in 新興技術:
量子コンピューティング(SPD結晶基板)。
ウェアラブルデバイススクリーン(耐スクラッチカバー)。
仕様
パラメータ |
値 |
---|---|
直径 | 200mm ±0.2mm |
厚さ | 725µm ±25µm |
配向 | C面(0001)±0.2° |
純度 | >99.99% (4N) |
表面粗さ(Ra) | <0.3nm(エピ対応) |
TTV | ≤15um |
WARP | ≤30um |
BOW | -30~10um |
工場設備