仕様
産地 :
中国
Orientation :
C 軸 (0001) から A ((11-20) 5°オフ
Matarial :
99.999% サファイア・クリスタル
TTV :
<15um>
身をかがめる :
<50um>
磨いたもの :
dspかssp
直径 :
カスタマイズ
記述

サファイア・ウェーファー C軸からM平面へアル2O₃"直径"2"/3"/4"/6"/8" カスタム厚さ

 

これは高精度なサファイア・ウェーファー特徴は8° 離れるC軸はM平面の方向に向かっているそして99純度999% (5N)高度な光電子および半導体アプリケーションで優れた表頭軸成長のために最適化されています.標準直径 (2"から8")カスタマイズ可能な厚さで,特殊な結晶学的均一性,極低の欠陥密度,優れた熱性/化学的安定性を提供します.制御された1°オフカット角は,ステップ・バンチングの欠陥を減らすことで,GaNとAlNのエピタキシを向上させる高性能LED,レーザーダイオード,電源電子機器,RFデバイスに最適です

 


 

サファイア ウェッファー の 主要 な 特徴

 

正確なオフカットオーリエンテーション

8° 離れているC軸はM平面に向かって表面膜の均一性を改善し,GaNベースのデバイスの欠陥を最小限に抑えるために設計された.

 

超高純度 (5N Al)2O(3) について

99純度999%微量不純物 (Fe,Ti,Si) <5ppmで,最適な電気および光学性能を保証する.

 

直径:2",3",4",6",8" (±0.1mmの許容度)

厚さ:100μmから1,500μm (±5μmの許容度) まで,

Al2O3 サファイア・ウェーファー,C軸からM平面へ 8°,直径: 2

特定のアプリケーション

 

エピリアン用ポリス: Ra <0.5 nm (前面) 欠陥のない薄膜堆積のために.

 

熱安定性:溶融点 ~ 2,050°C,

高温プロセス (MOCVD,MBE)

 

光学透明性:>85%の伝播率 (UVから中IR: 250 nm~5,000 nm)

 

機械的な強度: 9 モース硬さ,化学的エッチングと磨損に耐える.

 

 

 

 


 

 

サファイア ウェッファー の 応用

 

光電子機器

GaNベースのLED/レーザーダイオード:ブルー/UVLED,マイクロLED,VCSEL

高功率レーザー窓: CO2とエクシマーレーザー部品

 

パワー&RF電子機器

HEMT (高電子移動トランジスタ): 5G/6G パワーアンプとレーダーシステム

ショットキーダイオードとMOSFET: 電動自動車の高電圧装置

 

産業・防衛

IR窓とミサイルドーム: 厳しい環境では透明性が高い.

サファイアセンサー: 産業監視用の耐腐食カバー

 

量子技術と研究技術

超伝導クビットの基板(量子コンピューティング)

SPDC (自発的パラメトリックダウン変換) クリスタル量子光学についてです

 

半導体とMEMS

SOI (シリコン・オン・イソレーター) ウェーフ先進ICの場合は

MEMS圧力センサー化学的慣性が必要になる

 

 

Al2O3 サファイア・ウェーファー,C軸からM平面へ 8°,直径: 2Al2O3 サファイア・ウェーファー,C軸からM平面へ 8°,直径: 2

 


 

仕様

 

パラメータ

価値

直径 2",3",4",6",8" (±0.1mm)
厚さ オーダーメイド (100~1,500 μm ±5 μm)
オリエンテーション C軸からM平面へ 8°
純度 99.999% (5N Al2O3)
表面の荒さ (Ra) <0.5 nm (エピ準備)
変位密度 <500cm−2
TTV (総厚さの変化) < 10 μm
ボーク/ワップ <15 μm
光学透明性 250~5000 nm (>85%)

 


 

Q&A

 

Q1: 切断角が違うか (例えば0.5°か2°)
A2 について そうだカスタムオフカット角は ±0.1°の許容度で利用可能である.

 

Q2: 可能な最大厚さは?
A6 答え:合計1500 μm (1.5 mm)高ストレスのアプリケーションにおける機械的安定性

 

Q3: 汚染を防ぐために,ワッフルはどのように保管されるべきですか?
A10:保存するクリーンルーム対応のカセットまたは窒素キャビネット (20~25°C,湿度 <40%).

 

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Al2O3 サファイア・ウェーファー,C軸からM平面へ 8°,直径: 2"×8",カスタム厚さ

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