サファイア・ウェーファー 6インチ 直径 150mm±0.1mm 厚さ 1000um C平面 99.99%純
6インチ直径のサファイア・ウェーバーは 精密設計の単結晶Al2O3基板で 半導体の要求に応用するために設計されています1mm 標準厚さ1000±15μm,これらのC平面 (0001) 向きのウエファは,以下の点で優れた性能を提供します.
仕様
パラメータ |
仕様 |
---|---|
直径 | 150.0 ±0.1 mm |
厚さ | 1000 ± 10 μm |
オリエンテーション | (0001) ±0.15° |
TTV | < 10 μm |
ワープ | ≤20 μm |
身をかがめる | -15um≤BOW≤0 |
ワープ | < 10 μm |
サファイア ワッフル の 用途
オプトエレクトロニクスにおけるサファイア・ウェーファー
パワー エレクトロニクス の サファイア ワッフル
サファイア ワッフル と 発展 し て いる テクノロジー
主要 な 特徴サファイア・ウェーファー
1サファイア・ウェーファーの優れた熱性能
2サファイア・ワッフルオプティカル・エクセレンス
3サファイア・ワッフル機械的な強さ
4サファイア・ワッフル製造上の利点
サファイア・ウェーファー製造プロセス
1精度の切断処理を容易にするために,切断機上のサファイア結晶棒の位置を正確に位置付け
2切る: サファイア結晶棒を薄いウエーファーに切る
3. 磨き: 切断によって引き起こされるチップ切断ダメージ層を削除し,ウエファの平らさを改善
4シャムファリング: ストレスの集中によって引き起こされる欠陥を避けるために,ワッファーエッジの機械的強度を向上させるために,ワッファーエッジを円形弧にカット
5磨き: 表面の精度に達するために,ウエファーの荒さを向上させる
6浄化: ウェーファー表面の汚染物質 (塵粒,金属,有機汚染物質など) を除去する
7品質検査: 質 (平らさ,表面の塵粒子など) は,顧客の要求を満たすために高精度試験装置で検査されなければならない.