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2 サファイア・ウェーファー,C軸からA平面へ 2°,厚さ430μm,DSP/SSP
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仕様
産地 :
中国
材料 :
99.999% サファイア・クリスタル
Orientation :
C軸からA平面へ 2°
直径 :
2インチ50.8mm
身をかがめる :
≤20μm
サイズ :
2インチ 4インチ 6インチ 8インチ
TTV :
<5>
厚さ :
430μm
記述

2 "サファイア・ウェーファー C軸からA平面へ2°アル2O₃,430μm 厚さ,DSP/SSP

 

これは2インチのサファイア・ウエファー超精密な特徴C軸からA平面へ 2° そして99純度999% (5N)高性能エピタキシアル成長と特殊な光電子アプリケーションのために最適化されています.厚さ 430μm選択肢として双面磨き (DSP) または単面磨き (SSP)表面質 (Ra <0.3nm) と結晶学的一貫性により,GaNベースのデバイス,レーザーシステム,研究用基板に最適です.その制御オフ軸の向きは,エピタキシの間にステップ-バンチング欠陥を減らす超高純度で,量子光学やRFフィルターなどの敏感なアプリケーションでは 汚れによる性能低下が最小限に保たれます

 

 

2

 

 

 

2' サファイア ワッフル の 主要 な 特徴

 

正確なオフカットオーリエンテーション:

C平面からA軸に向かって2°エピタキシアル層の均一性を向上させ,GaN成長の欠陥を軽減するために設計されています.

 

超高純度:

99.999% (5N) アル2O₃微量不純物 (Fe,Ti,Si) <5ppmで,高周波および低損失装置では極めて重要です.

 

サブマイクロン表面質:

DSP/SSP オプション:

DSP: Ra <0.3nm (両側),光学およびレーザーアプリケーションに最適.

SSP: Ra <0.5nm (前側),エピタキシに費用効率が良い.

TTV <5μm均質な薄膜堆積のために

 

物質 的 な 卓越 性:

熱安定性: 溶融点 ~2,050°C,MOCVD/MBEプロセスに適しています.

光学透明性: >90%の伝播量 (400nm~4,000nm)

機械 的 に 堅固 な: 9 モース硬さ,化学エッチングに耐える.

 

研究 レベル の 一貫性:

流出密度 <300cm−²,研究開発と試作生産の高出力を確保する.

 

2

 

 

申請

 

ガンエピタキシ:

LED/レーザーダイオード: 細いスレッドを放出するブルー/UVエミッター

HEMT: 5Gとレーダーのための高電子移動性トランジスタ

 

光学部品:

レーザー窓: CO2とUVレーザーでは散乱損失が低い.

波導体: 統合光学用のDSPウエファー

 

音波装置:

SAW/BAWフィルター:オフカット向きは周波数安定性を向上させる.

 

量子技術:

単光子源:SPDC結晶のための高純度基質.

 

産業用センサー:

圧力/温度センサー: 化学的に惰性なカバーは,厳しい環境のために使用されます.

 

2

 

 

仕様

 

パラメータ

価値
直径 50.8mm (2") ±0.1mm
厚さ 430μm ±10μm
オリエンテーション C 軸からA 方向へ 2°
純度 99.999% (5N Al2O3)
TTV <5μm
ボーク/ワップ <20μm

 

 

Q&A

 

Q1: なぜ標準C平面ではなく2°オフカットを選んだのか?
A1:について2°オフカット ステップ・バンチングを抑制するGaNエピタキスの過程で,層の均一性を改善し,高明度のLEDとレーザー二極管の欠陥を軽減する.

 

Q2: 5N 純度が RF デバイスの性能にどのように影響するのか?
A2 について 99.999%の純度で 介電損失を最小限に抑える5Gフィルターや低騒音アンプには 極めて重要です

 

Q3:DSPウエファは直接結合に使用できますか?
A3 についてそうだ DSPs<0.3nmの荒さ異質統合のための原子レベルの結合を可能にします (例えば,サファイア-シリコン).

 

Q4: 厚さ430μmの利点は?
A4 式:バランス機械的強度(取り扱いに)熱伝導性迅速な熱処理に最適です

 

 

 

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製品詳細
産地 :
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材料 :
99.999% サファイア・クリスタル
Orientation :
C軸からA平面へ 2°
直径 :
2インチ50.8mm
身をかがめる :
≤20μm
サイズ :
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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8 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
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