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サファイア・ウェーファー C軸からM平面へ 20° Al2O3 Dia 23468 オーリエンテーションをカスタム
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仕様
産地 :
中国
硬度 :
9 モース
材料 :
99.999% サファイア・クリスタル
密度 :
3.98g/cm3
Orientation :
カスタマイズ可能
サイズ :
2か3か4か6か8か
厚さ :
カスタマイズ
表面 :
sspかdsp
TTV :
サイズによって決まりなさい
WRAP/BOW :
サイズによって決まりなさい
記述

 

サファイア・ウェーファー C軸からM・平面へ20°アール2O3 直径 2"/3"/4"/6"/8" オーダーメイド オリエンテーション

 

この超高純度なサファイア・ウェーバーは,C軸からM-Planeに向かっています.20°99.999% (5N) Al2O3 純度で,高度な表軸生長と特殊な半導体アプリケーションのために設計されています.標準直径 (2"から8"まで) で,オーダーメイドの方向性と厚さで提供されています.極低の欠陥密度,優れた熱/化学安定性. M軸への1°オフカットにより,GaN,AlNの表軸膜品質が最適化される.,高性能LED,レーザーダイオード,電源電子機器,SAW/BAWフィルターに最適です.

 

 

サファイア ウェッファー の 主要 な 特徴

 

 

正確なオフカット方向性:

C軸からM平面に向かって20° ステップ・バンキングの欠陥を軽減し,上軸層の均一性を改善します.

カスタムオフカット角 (0.2°~5°) は,専門用途で使用できます.

 

 

超高純度 (5N Al2O3):

99.999%純度,微量不純物 (Fe,Ti,Si) <5ppm,最小限の電気/光学損失を保証する.

 

 

調整可能な寸法と方向性:

直径: 2", 3", 4", 6", 8"

厚さ: 100μmから1,000μm (±5μmの許容度)

代替方向:A平面 (1120),R平面 (1102),または要求に応じて混合切断.

 

 

優れた表面品質:

エピ準備のポリス: Ra <0.5 nm (前面) 欠陥のない薄膜堆積のために.

双面磨き (DSP): Ra <0.3 nm オプティカル用.

 

 

特殊な材料特性:

熱安定性:溶融点 ~2,050°C,MOCVD/MBEプロセスに適しています.

光学透明度: > 85% (UVから中IR: 250~5000nm)

機械的強度: モース硬度9 化学/磨削耐性

 

 

サファイア・ウェーファー C軸からM平面へ 20° Al2O3 Dia 2

 

 

 

 

適用するサファイア・ウェーファー

 

オプトエレクトロニクス

GaNベースのLED/レーザーダイオード:ブルー/UVLED,マイクロLED,エッジ発光レーザー.

レーザー窓:高功率CO2とエクシマーレーザー部品

 

パワー&RF電子:

HEMT (High-Electron-Mobility Transistors): 5G/6G パワーアンプとレーダーシステム

SAW/BAWフィルター: M平面の向きによりピエゾ電気性能が向上する.

 

産業と防衛:

IR窓とミサイルドーム:極端な環境では透明性が高い.

サファイアセンサー 腐食に耐えるカバー

 

量子技術と研究技術

超伝導量子ビットの基板 (量子コンピューティング)

非線形光学:量子絡み研究のためのSPDC結晶.

 

半導体とMEMS:

先進IC用のSOI (シリコン・オン・アイソレーター) ウェーファー

MEMS共鳴器:M平面切断で高周波安定性

 

 

サファイア・ウェーファー C軸からM平面へ 20° Al2O3 Dia 2

 

 

 

仕様

 

パラメータ

価値
直径 2",3",4",6",8" (±0.1mm)
厚さ 100~1,500 μm (±5 μm)
オリエンテーション C軸からM平面へ 20°
純度 99.999% (5N Al2O3)
表面の荒さ (Ra) <0.5 nm (エピ準備)
変位密度 <500cm−2
TTV (総厚さの変化) < 10 μm
ボーク/ワップ <15 μm
光学透明性 250~5000 nm (>85%)

 

 

Q&A

 

Q1 についてなぜC軸からM平面に向かって20° 葬儀のために?
A1:M軸のオフカットにより,成長中にアタムの移動性が向上し,高性能デバイスのためのGaNフィルムの欠陥を軽減し,均一性を向上させる.

 

Q2 について切断ができない方向 (A軸など) を求められるか?
A2 についてはい. ±0.1°の許容度でカスタム方向化 (A平面,R平面,混合切断) が可能です.

 

Q3 について レーザーアプリケーションにおけるDSPの利点は?

A3 についてDSPは両側から<0.3nmの粗さを提供し,高功率レーザー光学における散乱損失を削減する.

 

 

 

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製品詳細
産地 :
中国
硬度 :
9 モース
材料 :
99.999% サファイア・クリスタル
密度 :
3.98g/cm3
Orientation :
カスタマイズ可能
サイズ :
2か3か4か6か8か
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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8 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
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年間総額 :
1000000-1500000
認証レベル :
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