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2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型 高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード
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仕様
モデル番号 :
結晶種子 SiC
産地 :
中国
最低注文量 :
10パーセント
支払条件 :
T/T
供給能力 :
1000pc/month
配達時間 :
30days
梱包の詳細 :
カスタマイズされたプラスチックボックス
Polytype :
4H
直径 :
205±0.5mm
厚さ :
600±50μm
表面の向きの誤り :
4°向いて<11-20>±0.5°
耐性 :
NA
平面 :
ない
パッケージ :
複数のウエフラーカセット
記述

製品説明:

 

2/4/6/8インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型 高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード

 

シリコンカーバイド (SiC) は,通常シリコンカーバイドと呼ばれ,シリコンと炭素を組み合わせて形成される化合物である.シリコンカーバイドの種結晶は重要な形態である.半導体材料に広く使用されているシリコンカービッドは硬さとしてはダイヤモンドに次いでおり,優れた磨材と切削ツールとなっています.良い熱伝導性により,LEDや電源電子などの高温アプリケーションに適しています. 化学物質,特に酸や塩基に耐性がある. 化学物質,特に酸や塩基に耐性がある. 化学物質,特に酸や塩基に耐性がある.優れた特性があるためシリコンカービッドの種子結晶は,現代産業と技術において不可欠な材料になりました.

 

 

2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型 高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型 高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード

 

 

特徴:

 

  • 高硬さ:シリコン カービッド の 硬さ は ダイヤモンド に しか 劣り ませ ん.それ で,シリコン カービッド は 優れた 磨材 や 切削 ツール に なり ます.
  • 高熱伝導性優れた熱伝導性により,LEDや電源電子などの高温用途に適しています.
  • 耐腐食性:化学物,特に酸やアルカリに耐性がある. 
  • 高温安定性高温環境でも良い物理的および化学的性質を維持できます
  • 低熱膨張係数温度変化により変形に易くなり 精密な用途に適しています

 

2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型 高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード

 

 

技術パラメータ

 

2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型 高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード

 

 

応用:

  
1エレクトロニクス:MOSFETや二極管などの高電力および高周波半導体装置の製造に使用される.

2磨材と切削道具:砂紙,磨石,切削道具の製造に使用される.

3陶器材料:耐磨性,高温性のある陶器部品の製造に使用される.

4光電子機器:LEDやレーザーなどの光電子アプリケーションで優れた性能.

5熱管理材料: 電子機器の熱消散性能を改善するために,熱シンクおよび熱インターフェース材料に使用されます.
 

2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型 高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード

 

カスタマイズ:

私たちのSiC結晶種子基板はRoHS認証されています. 最低注文量は10pcで,価格はケースによって異なります. 梱包の詳細はカスタマイズされたプラスチックボックスです.配達時間は30日以内です. 我々はT/T支払い条件を受け入れます.供給能力は1000pc/月です. SiC基板のサイズは2/4/6/8インチです. 原産地は中国です.


2/4/6/8 インチ Sic シリコンカービッド結晶種子基板 4H-N型 高硬さ Pグレード Rグレード Dグレード

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FAQ:

 

1.Q: シリコンカービッド種子結晶4H型をどのように準備しますか?

A: シリコンカービッド種子結晶4H型の製造は,通常,適切な原材料の選択,精細な浄化,成長条件の制御を含む複雑なプロセスを含みます.など一般的な調製方法には,物理蒸気移転方法 (PVT) が含まれる.調製過程では,純度,種子結晶の結晶質と結晶向きは,特定の要件を満たしている..

 

 

2Q: シリコンカービッド種子型4Hと6Hの違いは何ですか?

A: 4H と 6H 型 SIC 種子結晶の結晶構造には違いがあり,物理的および化学的特性にも違いがあります.4H型SIC種子結晶は,通常,電子移動性が高く,帯域幅が広い.6H型SICシードは,光学分野などの特定のアプリケーションでユニークな利点を示す可能性があります.

 

 

タグ: #Sic Crystal Seed Substrate, #H-Nタイプ, #シリコンカービッド・ウェーバー

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8 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
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年間総額 :
1000000-1500000
認証レベル :
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