半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級中国からのビデオ

Sep 15, 2024

35849 意見

製品説明: 4inch dia100m 4H-Nのタイプ生産の等級の模造の等級SiCの基質、半導体デバイスのための炭化ケイ素の基質、アプリケーション領域 1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキーダイオード、 JFET、BJT、PiNのダイオード、IGBT、MOSもっと学ぶ

半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級

半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級

4inch--N、4H-semi

中国

今連絡してください

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier

8 年数

4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

4H-N 5x5mm SicのウエファーDSPの陶磁器の触媒の基質

4H-SEMI シリコンカービッド SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiCウェーファー

4H-SEMI シリコンカービッド SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiCウェーファー

4H-SEMI シリコンカービッド SiC基板 2 インチ厚さ 350um 500um プライムグレードダミーグレード SiCウェーファー

オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

オプトエレクトロニクス半導体材料に使用されるSiC基板4H-N厚さ350um

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究ダミーグレード SIC エピタキシャル基板

4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

4H-SEMI SiC基板切断ディスク半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

TGV サファイア・ウェーファー孔付きガラス基板ガラスを通して TGV オーダーメイド

TGV サファイア・ウェーファー孔付きガラス基板ガラスを通して TGV オーダーメイド

TGV サファイア・ウェーファー孔付きガラス基板ガラスを通して TGV オーダーメイド

バッチを交換する

高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質

高い純度のun-doped炭化ケイ素sicのウエファー、6Inch 4H-Semi Sicの炭化ケイ素の基質

詳細を見る

2インチ6H -探知器のための半炭化ケイ素のウエファーの低い電力の消費

2インチ6H -探知器のための半炭化ケイ素のウエファーの低い電力の消費

詳細を見る

4H-SEMIは装置材料のためのSicのウエファーレンズ2INCH 3INCH 4INCH 9.0の硬度を磨いた

4H-SEMIは装置材料のためのSicのウエファーレンズ2INCH 3INCH 4INCH 9.0の硬度を磨いた

詳細を見る

高く熱のカスタマイズされたサイズの正方形Sicの破片の低い格子不適当な組み合わせ

高く熱のカスタマイズされたサイズの正方形Sicの破片の低い格子不適当な組み合わせ

詳細を見る

4H-Nパワーエレクトロニクスのためのようにカットの炭化ケイ素のウエファー0.5mmの厚さ

4H-Nパワーエレクトロニクスのためのようにカットの炭化ケイ素のウエファー0.5mmの厚さ

詳細を見る

類別別で類似した商品を検索:

供給者のホームページ製品

MachineU ビデオチャンネルツールとハードウェアドリルビット工作機械用超硬ドリルビット

連絡するサプライヤー

メッセージ*

メール*

電話やWhatsApp*

名前

会社

提出する要件

24時間以内に返信してください.

確認したサプライヤーの対応サービスがほしい