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模造の生産の研究の等級の炭化ケイ素高い純度4h-semiは透明なsicのウエファーを非添加しました
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仕様
型式番号 :
4inch--半高い純度
原産地 :
中国
MOQ :
1pcs
供給の能力 :
100pcs/months
受渡し時間 :
15days
包装の細部 :
、単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
材料 :
sicの水晶
企業 :
半導体ウエハー
適用 :
、装置導かれる、半導体パワー エレクトロニクス、5G
色 :
、緑青い、白い
タイプ :
4H、6Hは、添加された、高い純度添加しませんでした
記述

4H高い純度の半絶縁の炭化ケイ素のSubstrateshigh純度4inch SiCの基質、半導体4inch SiCの基質のための4inch炭化ケイ素の基質、semconductorのための炭化ケイ素の基質、sicの単結晶のウエファー、宝石のためのsicのインゴット

SiCの水晶について

炭化ケイ素（SiC）、別名カーボランダム/k ɑːrbəˈrʌndəm/は、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体です。それは極めてまれなミネラルmoissaniteとして実際のところ起こります。総合的な炭化ケイ素の粉は研摩剤として使用のための1893以来大量生産されていました。防弾チョッキの車ブレーキ、車のクラッチおよび陶磁器の版のような高い持久力を、要求する適用で広く利用されている炭化ケイ素の穀物は非常に堅い製陶術を形作る焼結によって一緒に結ぶことができます。発光ダイオード(LEDs)および早いラジオの探知器のような炭化ケイ素の電子適用は1907年のまわりに最初に示されました。SiCは高温か高い電圧で作動する、または両方使用されます半導体の電子工学装置で。炭化ケイ素の大きい単結晶はLely方法によって育てることができます;それらは総合的なmoissaniteとして知られている宝石に切ることができます。高い表面積の炭化ケイ素は植物素材に含まれているSiO2から作り出すことができます。

SiCの水晶基質およびウエファーの適用

炭化ケイ素（SiC）のcrytsalsに独特で物理的な、電子特性があります。炭化ケイ素の基づいた装置は短波の光電子工学のために、高温、放射の抵抗力があるapplciations使用されました。SiCとなされる強力な、高周波電子デバイスはSiおよびGaAsによって基づく装置より優秀です。SiCの基質のある普及した適用は次あります。

III-Vの窒化物の沈殿

GaN、AlxGa1 xNおよびSiCの基質またはサファイアの基質のInyGa1-yNのエピタキシアル層。

SiCの型板のガリウム窒化物のエピタクシーが青い発光ダイオード（青いLED）およびおよびほぼ太陽盲目の紫外線フォトディテクターを製造するのに使用されています

光電子工学装置

SiCによって基づく装置はIII窒化物のエピタキシアル層の低い格子不適当な組み合わせを備えています。それらに高い熱伝導性があり、燃焼プロセスの監視と各種各様の紫外線検出のために使用することができます。

SiCベースの半導体デバイスは高温、高い発電および高い放射の状態のような非常に敵の環境の下で、働くことができます。

高い発電装置

SiCに次の特性があります:

広いエネルギーBandgap

高い電気故障分野

高い飽和漂流速度

高い熱伝導性

SiCはダイオード、力のtransitorsおよび高い発電マイクロウェーブ装置のような非常に高圧および強力な装置の製作のために使用されます。慣習的なSi装置と比較されて、SiCベースの力装置により速い切り替え速度のより高い電圧、小型より低い寄生抵抗が高温機能がより少なく冷却の必須の原因であります。

SiCにSiC装置がGaAsかSiより高い発電密度で論理上作動できるGaAsまたはSiの意味より高い熱伝導性があります。高い発電が主好ましい装置特徴のとき広いbandgapと結合されるより高い熱伝導性および高く重大な分野はSiCの半導体に利点を与えます。

現在炭化ケイ素（SiC）は高い発電MMICapplicationsのために広く利用されています。SiCはまた高い発電MMIC装置のためにGaNのエピタキシアル成長のために基質として使用されます

高温装置

SiCに高い熱伝導性があるので、SiCは熱を他の半導体材料より急速に散らします。これはSiC装置が非常に高い発電のレベルで作動することを可能にし、まだ装置から発生する多量の余分な熱を散らします。

高周波力装置

SiCベースのマイクロウェーブ電子工学は無線コミュニケーションおよびラドのために使用されます

2. 基質のサイズ

4インチ（直径）の4H-semi炭化ケイ素の基質の指定

基質の特性

生産の等級

研究の等級

模造の等級

直径

100.0 mm +0.0/-0.5mm

表面のオリエンテーション

{0001} ±0.2°

第一次平らなオリエンテーション

<11->20> ± 5.0の̊

二次平らなオリエンテーション

第一次± 5.0の̊、上向きケイ素からの90.0 ̊ CW

第一次平らな長さ

32.5 mm ±2.0 mm

二次平らな長さ

18.0 mm ±2.0 mm

ウエファーの端

小さな溝

Micropipe密度

≤5 micropipes/のcm2

≤10micropipes/のcm2

≤50 micropipes/のcm2

高輝度ライトによるPolytype区域

どれも割り当てませんでした

≤10%区域

抵抗

≥1E7 Ω·cm

（区域75%） ≥1E7 Ω·cm

厚さ

350.0 μmの± 25.0のμmまたは500.0 μmの± 25.0のμm

TTV

≦10μm

≦15のμm

弓（絶対値）

≦25のμm

≦30のμm

ゆがみ

≦45のμm

表面の終わり

二重側面のポーランド語、Siの表面CMP （化学薬品の磨くこと）

表面の粗さ

CMP Siの表面Ra≤0.5 nm

N/A

高輝度ライトでひび

どれも割り当てませんでした

拡散照明による端の破片/刻み目

どれも割り当てませんでした

Qty.2<> 1.0 mmの幅および深さ

Qty.2<> 1.0 mmの幅および深さ

総使用可能な区域

≥90%

≥80%

N/A

他のサイズ

3インチ（直径）の4H炭化ケイ素の基質の指定

基質の特性

生産の等級

研究の等級

模造の等級

直径

76.2 mm ±0.38 mm

表面のオリエンテーション

{0001} ±0.2°

第一次平らなオリエンテーション

<11->20> ± 5.0の̊

二次平らなオリエンテーション

第一次± 5.0の̊、上向きケイ素からの90.0 ̊ CW

第一次平らな長さ

22.0 mm ±2.0 mm

二次平らな長さ

11.0 mm ±1.5mm

ウエファーの端

小さな溝

Micropipe密度

≤5 micropipes/のcm2

≤10micropipes/のcm2

≤50 micropipes/のcm2

高輝度ライトによるPolytype区域

どれも割り当てませんでした

≤10%区域

抵抗

≥1E7 Ω·cm

（区域75%） ≥1E7 Ω·cm

厚さ

350.0 μmの± 25.0のμmまたは500.0 μmの± 25.0のμm

TTV

≤10 μm

≤15 μm

弓（絶対値）

≤15 μm

≤25 μm

ゆがみ

≤35 μm

表面の終わり

二重側面のポーランド語、Siの表面CMP （化学薬品の磨くこと）

表面の粗さ

CMP Siの表面Ra≤0.5 nm

N/A

高輝度ライトでひび

どれも割り当てませんでした

拡散照明による端の破片/刻み目

どれも割り当てませんでした

Qty.2<> 1.0 mmの幅および深さ

Qty.2<> 1.0 mmの幅および深さ

総使用可能な区域

>90%

>80%

N/A

*Theは顧客の要求に従って他の指定カスタマイズすることができます

2インチ（直径）の4H炭化ケイ素の基質の指定

基質の特性

生産の等級

研究の等級

模造の等級

直径

50.8 mm ±0.38 mm

表面のオリエンテーション

{0001} ±0.2°

第一次平らなオリエンテーション

<11->20> ± 5.0の̊

二次平らなオリエンテーション

第一次± 5.0の̊、上向きケイ素からの90.0 ̊ CW

第一次平らな長さ

16.0 mm ±1.65 mm

二次平らな長さ

8.0 mm ±1.65 mm

ウエファーの端

小さな溝

Micropipe密度

≤5 micropipes/のcm2

≤10micropipes/のcm2

≤50 micropipes/のcm2

高輝度ライトによるPolytype区域

どれも割り当てませんでした

≤10%区域

抵抗

≥1E7 Ω·cm

（区域75%） ≥1E7 Ω·cm

厚さ

350.0 μmの± 25.0のμmまたは500.0 μmの± 25.0のμm

TTV

≤10 μm

≤15 μm

弓（絶対値）

≤10 μm

≤15 μm

ゆがみ

≤25のμm

表面の終わり

二重側面のポーランド語、Siの表面CMP （化学薬品の磨くこと）

表面の粗さ

CMP Siの表面Ra≤0.5 nm

N/A

高輝度ライトでひび

どれも割り当てませんでした

拡散照明による端の破片/刻み目

どれも割り当てませんでした

Qty.2<> 1.0 mmの幅および深さ

Qty.2<> 1.0 mmの幅および深さ

総使用可能な区域

≥90%

≥80%

N/A

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模造の生産の研究の等級の炭化ケイ素高い純度4h-semiは透明なsicのウエファーを非添加しました模造の生産の研究の等級の炭化ケイ素高い純度4h-semiは透明なsicのウエファーを非添加しました

FAQ:

Q:船積みおよび費用の方法は何ですか。

A:（1）私達はDHL、Federal Express、EMS等を受け入れます。

（2）あなた自身の明白な記述があれば、大きいです。そうでなかったら、私達はそれらを出荷するのを助けることができます。

貨物は実際の解決に従ってまたはFOBによって行います。

Q:支払う方法か。

A:100%T/T、Paypal、

Q:あなたのMOQおよび受渡し時間は何ですか。

A:（1）目録のための、MOQは10daysの2pcsです

（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQはin10-20daysの上の10pcsです。

Q:私は私の必要性に基づいてプロダクトをカスタマイズしてもいいですか。

A:はい、私達は材料、指定および形の厚さ、サイズ、表面をカスタマイズしてもいいです。

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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8 年数
shanghai, shanghai
ありがとうございました 2013
事業形態 :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1000000-1500000
認証レベル :
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