2インチパワーデバイス高電子移動性トランジスタエピタキシアル・ウェーファー中国からのビデオ

May 14, 2025

9 意見

製品説明: シリコンHEMT Epiウエファー上のGaNの紹介シリコン基のガリウムナトリドHEMT表頭円盤は,ガリウムナトリド (GaN) 材料に基づく高電子移動トランジスタ (HEMT) 表頭円盤である.その構造は主にAlGaNバリア層を含みますこの構造により,ガリウムナイトリドHEMTは高い電子移動性と飽和もっと学ぶ

2インチパワーデバイス高電子移動性トランジスタエピタキシアル・ウェーファー

2インチパワーデバイス高電子移動性トランジスタエピタキシアル・ウェーファー

中国

5

今連絡してください

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 年数

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2インチ自立型SI-GaN基板

2インチ自立型SI-GaN基板

2インチ自立型SI-GaN基板

バッチを交換する

青いLED GaN シリコン・ウェーファー青いレーザー GaN エピタキシアル・ウェーファー

青いLED GaN シリコン・ウェーファー青いレーザー GaN エピタキシアル・ウェーファー

詳細を見る

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

詳細を見る

2インチ GaN シリコン HEMT エピ・ウエファー電力装置

2インチ GaN シリコン HEMT エピ・ウエファー電力装置

詳細を見る

4H SiCのエピタキシアルウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm

4H SiCのエピタキシアルウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm

詳細を見る

150.0mm +0mm/-0.2mm SiCのエピタキシアルウエファー二次平たい箱無し3mm

150.0mm +0mm/-0.2mm SiCのエピタキシアルウエファー二次平たい箱無し3mm

詳細を見る

類別別で類似した商品を検索:

供給者のホームページ製品

MachineU ビデオチャンネルツールとハードウェアパワーツールパワープレーナー

連絡するサプライヤー

メッセージ*

メール*

電話やWhatsApp*

名前

会社

提出する要件

24時間以内に返信してください.

確認したサプライヤーの対応サービスがほしい