4H SiCのエピタキシアルウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm 中国からのビデオ

Jun 09, 2025

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製品説明: 4H SiCのエピタキシアルウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 概観次のタイプはベータ炭化ケイ素である。ベータSiCは温度で高くより1700の摂氏温度作り出される。アルファ炭化物はもっと学ぶ

4H SiCのエピタキシアルウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm

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JDCD03-001-003

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