JDCD07-001-004 7 インチ SOI エピタキシアル・ウェーファー MEMS 処理用中国からのビデオ

Jun 09, 2025

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製品説明: MEMSプロセス用7インチSOIエピタキシャルウェーハ概要シリコンウエハーは、私たちの生活を豊かにするあらゆる電子機器に使われている半導体の製造に欠かせない材料です。日常生活の中で実際のシリコンウェーハに触れる機会はほとんどありません。シリコンウェーハは、円形の形状をしたシリコもっと学ぶ

JDCD07-001-004 7 インチ SOI エピタキシアル・ウェーファー MEMS 処理用

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蘇州中国

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3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

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2インチ自立型SI-GaN基板

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JDCD07-001-002 5 インチ SOI エピタキシアル・ウェーファー MEMS 処理用

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JDCD07-001-001 MEMS プロセス用 4 インチ SOI エピタキシャルウェーハ

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4" 5" 6" Nのタイプ/SbとしてSiのウエファーPのタイプ/ほう素Nのタイプ/

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0.001-100 ohm-cm シリコンウェーハ P タイプボロンドーパント

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E/終わる例えば/Gの表面分離した装置Si基質P/E P/P

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