ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面中国からのビデオ

Jun 09, 2025

17 意見

製品説明: 2インチの支えがないSIGaN基質エピタキシアルウエファーは（またepiのウエファー、epiウエファー、またはepiwaferを呼んだ） photonics、マイクロエレクトロニクス、spintronics、またはphotovoltaicsの使用のためのエピタキシアル成長（エピタクシーもっと学ぶ

ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面

ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面

JDCD01-001-021

蘇州中国

今連絡してください

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 年数

2インチ自立型SI-GaN基板

2インチ自立型SI-GaN基板

2インチ自立型SI-GaN基板

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

バッチを交換する

4インチFeドーピングフリースタンドガン基板ガリウムナイトリド

4インチFeドーピングフリースタンドガン基板ガリウムナイトリド

詳細を見る

GaN 2 インチガリウムナイトリドシングルクリスタル基板

GaN 2 インチガリウムナイトリドシングルクリスタル基板

詳細を見る

625um から 675um 4 インチブルー LED ガリウムナイトリッド GaN エピタキシアル・ウェーファー・オン・ザファイア SSP フラット・ザファ

625um から 675um 4 インチブルー LED ガリウムナイトリッド GaN エピタキシアル・ウェーファー・オン・ザファイア SSP フラット・ザファ

詳細を見る

高電圧高周波チップの生産に不可欠なGaNエピタキシアル・ウェーファー

高電圧高周波チップの生産に不可欠なGaNエピタキシアル・ウェーファー

詳細を見る

LEDレーザーPINデバイスのための2 ′′6インチN型ガナオンサファイアエピタキシアルウェーファー

LEDレーザーPINデバイスのための2 ′′6インチN型ガナオンサファイアエピタキシアルウェーファー

詳細を見る

類別別で類似した商品を検索:

供給者のホームページ製品

MachineU ビデオチャンネル機械産業用レーザー機器レーザー機器部品

連絡するサプライヤー

メッセージ*

メール*

電話やWhatsApp*

名前

会社

提出する要件

24時間以内に返信してください.

確認したサプライヤーの対応サービスがほしい