375 um GaN エピタキシャルウェーハフリースタンディング U-GaN SI-GaN 基板中国からのビデオ

May 26, 2025

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製品説明: 350±25μm(11-20)±3o、8 ± 1 mm 2 インチ自立型 U-GaN/SI-GaN 基板 2inch C面アンドープn型自立GaN単結晶基板比抵抗 < 0.1Ω・cm パワーデバイス/レーザーウエハー概要半導体材料業界の規格では、原子間力顕微鏡を用いもっと学ぶ

375 um GaN エピタキシャルウェーハフリースタンディング U-GaN SI-GaN 基板

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JDCD01-001-019

蘇州中国

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

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2インチ自立型SI-GaN基板

2インチ自立型SI-GaN基板

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M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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バッチを交換する

4インチFeドーピングフリースタンドガン基板ガリウムナイトリド

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GaN 2 インチガリウムナイトリドシングルクリスタル基板

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625um から 675um 4 インチブルー LED ガリウムナイトリッド GaN エピタキシアル・ウェーファー・オン・ザファイア SSP フラット・ザファ

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高電圧高周波チップの生産に不可欠なGaNエピタキシアル・ウェーファー

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