4インチ4H-SiC基板PレベルSI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 抵抗力≥1E9Ω·Cm パワーマイクロ波用中国からのビデオ

Sep 15, 2024

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製品説明: JDCD03-002-001 4inch 4H-SiC基板 PレベルSI 500.0±25.0μm MPD≤0.3/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power andmicrowave devices 概要 SiC は GaAs や Si もっと学ぶ

4インチ4H-SiC基板PレベルSI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 抵抗力≥1E9Ω·Cm パワーマイクロ波用

4インチ4H-SiC基板PレベルSI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 抵抗力≥1E9Ω·Cm パワーマイクロ波用

JDCD03-002-001

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

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12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

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2インチ自立型SI-GaN基板

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青いLED GaN シリコン・ウェーファー青いレーザー GaN エピタキシアル・ウェーファー

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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2インチ GaN シリコン HEMT エピ・ウエファー電力装置

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