4インチ4H-SiC 基質PレベルSI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 抵抗≥1E5Ω·cm パワーマイクロ波用中国からのビデオ

Sep 15, 2024

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製品説明: JDCD03-002-002 4inch 4H SiCの基質のP-level SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω·力およびマイクロウェーブ装置のためのcm 概観 SiCはダイオード、力トランジスターおよび高い発電マイクロウェーブ装置のもっと学ぶ

4インチ4H-SiC 基質PレベルSI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 抵抗≥1E5Ω·cm パワーマイクロ波用

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JDCD03-002-002

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

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12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

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2インチ自立型SI-GaN基板

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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2インチ GaN シリコン HEMT エピ・ウエファー電力装置

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