2inch GaNのエピタキシアルウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した中国からのビデオ

Apr 22, 2025

5 意見

製品説明: 2inch C表面はSIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗を> 106 Ω Fe添加した·cm RF装置 semi-insulating SiCの（001の）基質のFe添加されたGaNのエピタキシアル層の成長の特徴は高い絶縁破壊電圧装置塗布のためのmetalorganic化学もっと学ぶ

2inch GaNのエピタキシアルウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

2inch GaNのエピタキシアルウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

JDCD01-001-021

蘇州中国

今連絡してください

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 年数

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2インチ自立型SI-GaN基板

2インチ自立型SI-GaN基板

2インチ自立型SI-GaN基板

M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れた10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質Cの平面（0001）

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

バッチを交換する

4インチFeドーピングフリースタンドガン基板ガリウムナイトリド

4インチFeドーピングフリースタンドガン基板ガリウムナイトリド

詳細を見る

GaN 2 インチガリウムナイトリドシングルクリスタル基板

GaN 2 インチガリウムナイトリドシングルクリスタル基板

詳細を見る

625um から 675um 4 インチブルー LED ガリウムナイトリッド GaN エピタキシアル・ウェーファー・オン・ザファイア SSP フラット・ザファ

625um から 675um 4 インチブルー LED ガリウムナイトリッド GaN エピタキシアル・ウェーファー・オン・ザファイア SSP フラット・ザファ

詳細を見る

高電圧高周波チップの生産に不可欠なGaNエピタキシアル・ウェーファー

高電圧高周波チップの生産に不可欠なGaNエピタキシアル・ウェーファー

詳細を見る

LEDレーザーPINデバイスのための2 ′′6インチN型ガナオンサファイアエピタキシアルウェーファー

LEDレーザーPINデバイスのための2 ′′6インチN型ガナオンサファイアエピタキシアルウェーファー

詳細を見る

類別別で類似した商品を検索:

供給者のホームページ製品

MachineU ビデオチャンネル家具業務用家具事務用家具ラップトップスタンド

連絡するサプライヤー

メッセージ*

メール*

電話やWhatsApp*

名前

会社

提出する要件

24時間以内に返信してください.

確認したサプライヤーの対応サービスがほしい