パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用の260μmシリコンカーバイド基板Pレベル中国からのビデオ

Jun 09, 2025

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製品説明: 4H-N/SI<0001>260μm±25μm パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス向けの 2 インチ SiC 基板 P レベル JDCD03-001-001 2インチSiC基板 Pレベル 4H-N/SI<0001>260μm±25μm パワーデバイスおよびマイクロ波デバもっと学ぶ

パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用の260μmシリコンカーバイド基板Pレベル

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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2インチ自立型SI-GaN基板

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3つのセットのプロセスガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

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12.5mm 2inch支えがないN GaN EpiのウエファーSiは添加した

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4 インチ N 型 UID ドープ GaN オンサファイアウェーハ SSP 抵抗率＞0.5 Ω cm LED、レーザー、PIN エピタキシャルウェーハ

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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

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青いLED GaN シリコン・ウェーファー青いレーザー GaN エピタキシアル・ウェーファー

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シリコンのGaN紫外線レーザー 2インチシリコンのGaNHEMT Epiウエファー UV LD Epiウエファー

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2インチ GaN シリコン HEMT エピ・ウエファー電力装置

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2インチパワーデバイス高電子移動性トランジスタエピタキシアル・ウェーファー

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4H SiCのエピタキシアルウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm

4H SiCのエピタキシアルウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm

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