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要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの2インチSiC基板350μm
要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの2インチSiC基板350μm
仕様
原産地 :
蘇州中国
支払の言葉 :
T/T
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
結晶形 :
4h
製品名 :
2inch diameterSiliconの炭化物（SiC）の基質の指定
直径 :
50.8mm±0.38mm
第一次平らなオリエンテーション :
{10-10} ±5.0°
第一次平らな長さ :
47.5mmの± 1.5mm
二次平らなオリエンテーション :
上向きケイ素:90°CW.主なflat±5.0°から
Micropipe密度 :
≤5cm-の²
厚さa :
260μm±25μm
記述

Pレベル2インチSiC基板 4H-N/SI<0001>260μm±25μm 要求の厳しいパワー エレクトロニクス向け

JDCD03-001-001 2インチSiC基板 Pレベル 4H-N/SI<0001>260μm±25μm パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用

概要

要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの高い結晶品質
輸送、エネルギー、および産業市場が進化するにつれて、信頼性の高い高性能パワー エレクトロニクスの需要が高まり続けています。改善された半導体性能のニーズを満たすために、デバイス メーカーは、4H n 型炭化ケイ素 (SiC) ウエハーの 4H SiC プライム グレード ポートフォリオなどのワイド バンドギャップ半導体材料に注目しています。

2インチ径シリコンカーバイド(SiC)基板仕様
学年 生産グレード（Pグレード）
距離 50.8mm±0.38mm
厚さ 260μm±25μm
ウェーハの向き 軸上: <0001>±0.5° 4H-N/4H-SIの場合、軸外: <1120に向かって4.0° > 4H-N/4H-SIの場合±0.5°
マイクロパイプ密度 ≤5cm-²
抵抗率 4H-N 0.015～0.028Ω・cm
4H-SI ＞1E5Ω・cm
プライマリ フラット方向 {10-10}±5.0°
一次平面長 15.9mm±1.7mm
一次平面長 8.0mm±1.7mm
セカンダリ フラット方向 シリコンフェイスアップ：90°CW。全平面から±5.0°
エッジ除外 1mm
TTV/バウ/ワープ ≦15μm/≦25μm/≦25μm
粗さ シリコンフェイス CMP Ra≤0.5nm
カーボンフェイス 研磨 Ra≤1.0nm
高強度光によるエッジクラック なし
高強度ライトによる六角プレート 累積面積≤1%
高強度光によるポリタイプ領域 なし
高強度光によるシリコン表面の傷 3 スクラッチから 1 x ウェーハ直径累積長
エッジ チップ ハイ バイ インテンシティ ライト ライト なし
高強度によるシリコン表面汚染 なし
包装 マルチウェーハカセットまたはシングルウェーハコンテナ

備考： の付いた項目は、3mm のエッジ除外が使用されます。a.

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。

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製品詳細
原産地 :
蘇州中国
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T/T
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
結晶形 :
4h
製品名 :
2inch diameterSiliconの炭化物（SiC）の基質の指定
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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製造業者
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