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0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP
0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP
仕様
型式番号 :
JDCD03-001-007
原産地 :
蘇州中国
支払の言葉 :
T/T
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
製品名 :
6インチ（直径）の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定
第一次平らなオリエンテーション :
{10-10} ±5.0°
結晶形 :
4h
第一次平らな長さ :
47.5 mm±2.0 mm
直径 :
149.5mm~150.0mm
ウエファーのオリエンテーション :
軸線を離れて:軸線の4.0°toward <1120>±0.5°for 4H-N、:<0001>±0.5°for 4H-SI
記述

0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面:光学ポーランド語、Si表面CMP

概観

SiCのウエファーはケイ素から成っている半導体材料である。炭化ケイ素のウエファーは水晶のエッチングによってなされる結晶材料である。それは力の半導体デバイスに使用するには普通薄い十分に。他のタイプはタイプの絶縁体である。

温度較差は力の半導体の電気そして磁場のために非常に重要である。炭化ケイ素のウエファーは両方の方向で伝導性である。

6インチ（直径）の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定
等級 ゼロMPDの生産の等級（Zの等級） 模造の等級（Dの卒業生）
直径 149.5mm~150.0mm
厚さ 4H-N 350μm±20μm 350μm±25μm
4H-SI 500μm±20μm 500μm±25μm
ウエファーのオリエンテーション 軸線を離れて:軸線 <1120>の4.0°toward ±0.5°for 4H-N、:<0001>±0.5°for 4H-SI
Micropipe密度 4H-N ≤0.5cm-の² ≤15cm-の²
4H-SI ≤1cm-の² ≤15cm-の²
抵抗 4H-N 0.015~0.025Ω·cm 0.015~0.028Ω·cm
4H-SI ≥1E9Ω·cm ≥1E5Ω·cm
第一次平らなオリエンテーション {10-10} ±5.0°
第一次平らな長さ 4H-N 47.5 mm±2.0 mm
4H-SI ノッチ
端の排除 3mm
LTV/TTV/Bow /Warp ≤3μm/≤6μm/≤30μm/≤40μm ≤5μm/≤15μm/≤40μm/≤60μm
荒さ ケイ素の表面 CMP Ra≤0.2nm Ra≤0.5nm
カーボン表面 ポーランドRa≤1.0nm
高輝度ライトで端のひび どれも 累積長さの≤ 20のmm、単一length≤2 mm
※のジンクスは高輝度ライトによってめっきする 累積area≤0.05% 累積area≤0.1%
高輝度ライトによる※のPolytype区域 どれも 累積area≤3%
視覚カーボン包含 累積area≤0.05% 累積area≤3%
高輝度ライトによるケイ素の表面の傷 どれも 累積length≤1×waferの直径
高輝度ライトによる端の破片 どれも≥0.2 mmの幅および深さを割り当てなかった 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ
高輝度ライトによるケイ素の表面汚染 どれも
包装 複数のウエファー カセットか単一のウエファーの容器

注目:3mmの端の排除はa.と印が付いている項目のために使用される。

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

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型式番号 :
JDCD03-001-007
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T/T
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