要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの2インチSiC基板350μm 中国からのビデオ

Jun 09, 2025

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製品説明: Pレベル2インチSiC基板 4H-N/SI<0001>260μm±25μm 要求の厳しいパワーエレクトロニクス向け JDCD03-001-001 2インチSiC基板 Pレベル 4H-N/SI<0001>260μm±25μm パワーデバイスおよびマイクロ波デバイス用 &nもっと学ぶ

要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの2インチSiC基板350μm

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