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5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
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仕様
型式番号 :
JDCD01-001-005
原産地 :
蘇州中国
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
10000pcs/Month
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
次元 :
5 x 10mmの²
厚さ :
350 ±25µm
オリエンテーション :
C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れたM軸線0 ±0.5° Aの平面（11-20）の方の角度を離れた平面（11-20）
TTV :
≤ 10のµm
弓 :
- 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
マクロ欠陥密度 :
0cm⁻ ²
使用可能な区域 :
> 90% （端の排除）
製品名 :
GaNのエピタキシアル ウエファー
記述

5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0="">


概観

出力密度はケイ素と比較されるガリウム窒化物装置でGaNに大いにより高い転換の頻度を支える容量があるので物非常に改善される。それにまた高温を支える高められた機能がある。

表面支えがないGaNの基質
項目 GaN FSU S GaN FSN S GaN FS SIS

5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー注目:

円アークの角度（R < 2="" mm="">

次元 5つx 10のmm2
厚さ 350 ±25 µm
オリエンテーション

M軸線0 ±0.5°の方の角度を離れた平面（11-20）

C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れた平面（11-20）
伝導のタイプ Nタイプ Nタイプ Semi-Insulating
抵抗（300K） < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10のµm
弓 - 10 µmの≤の弓≤ 10のµm
前部表面の粗さ

< 0="">

または < 0="">

背部表面の粗さ

0.5の~1.5 μm

選択:1~3 nm （良い地面）; < 0="">

転位密度 1つx 105から3つx 106のcm-2から
マクロ欠陥密度 0のcm-2
使用可能な区域 > 90% （端の排除）
パッケージ 、6 PCSの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

付録:miscutの角度の図表

5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー

M軸線の方の角度を離れたδなら1 = 0 ±0.5°、平面（11-20）は0 ±0.5°である。

δなら2 = - C軸線の方の角度を離れた1 ±0.2°、平面（11-20）はある- 1 ±0.2°。

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

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5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー

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製品詳細
型式番号 :
JDCD01-001-005
原産地 :
蘇州中国
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
10000pcs/Month
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
従業員数 :
>100
認証レベル :
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