仕様
型式番号 :
JDWY03-002-013
原産地 :
蘇州中国
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
10000pcs/Month
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
製品名 :
シリコンの薄片の青主導のGaN
次元 :
2インチ
AlGaNの緩衝厚さ :
400-600nm
Longueurのd'ondeレーザー :
455±5nm
基質の構造 :
構造 10nmConnect層/pGaN/400-600nmAlGaN/70-150nmInGaN/~15nmGaN-QB/~2.5nmInGaN-QW/70-150nmInGaN/1200-1500
特徴 :
青主導
記述

シリコンの薄片の2inch青主導のGaN

ガリウム窒化物は高い発電、高周波半導体の塗布に使用する半導体技術である。ガリウム窒化物はそれをさまざまな高い発電の部品のためのGaAsそしてケイ素よりよくさせる複数の特徴を表わす。これらの特徴はより高い絶縁破壊電圧およびよりよい電気抵抗を含んでいる。

ケイ素の2inch GaN青いレーザー

項目

Siの(111の)基質

Al (Ga) Nの緩衝 uGaN nGaN AlGaN InGaN

MQW

(1-3組)

InGaN AlGaN pGaN 接触の層
InGaN-QW GaN-QB
次元 2インチ
厚さ 1000nm 1300-1500nm 1300-1500nm 1200-1500nm 70-150nm ~2.5nm ~15nm 70-150nm 400-600nm / 10nm
構成 Al% / / / 5-8 / / / / 5-8 / /
In% / / / 2-8 ~15 / 2-8 / / /
添加 [Si] / / 5.0E+18 2.0E+18 2.0E+18 / / / / / /
[Mg] / / / / / / / / 2.0E+19 2.0E+19 /
Longueurのd'ondeレーザー 455±5nm
基質の構造 10nmConnect層/pGaN/400-600nmAlGaN/70-150nmInGaN/~15nmGaN-QB/~2.5nmInGaN-QW/70-150nmInGaN/1200-1500nmAlGaN/1300-1500nmnGaN/1300-1500nmnGaN/1300-1500nmuGaN/1000nmAl (Ga) N buffer/Siの(111の)基質
パッケージ 、25PCS容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

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シリコンの薄片のLongueurのD'Ondeレーザー455±10nmの2inch青主導のGaN

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JDWY03-002-013
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蘇州中国
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T/T
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10000pcs/Month
受渡し時間 :
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クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
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シリコンの薄片のLongueurのD'Ondeレーザー455±10nmの2inch青主導のGaN

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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4 年数
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ありがとうございました 2020
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
従業員数 :
>100
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