仕様
原産地 :
蘇州中国
支払の言葉 :
T/T
供給の能力 :
10000pcs/Month
受渡し時間 :
3-4 週日
包装の細部 :
クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
型式番号 :
JDCD-01-001-001
製品名 :
GaNの単結晶の基質
次元 :
10×10.5mm²
厚さ :
350 ±25µm
オリエンテーション :
C面(0001) M軸方向へのオフ角 0.35 ±0.15°
TTV :
≤ 10µm
マクロ欠陥密度 :
0cm⁻ ²
記述

10*10.5mm² C面 アンドープn型自立GaN単結晶基板 抵抗率 < 0.1Ω・cm パワーデバイス/レーザー


概要
10年以上のGaAsPエピウェーハ事業の経験を活かし、独自に開発したHVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)法により高品質なGaN基板を提供しています。

10 x 10.5 mm2 自立型 GaN 基板
アイテム GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

GaN 基板 Ga 面の表面粗さ < 0.2 nm (研磨) または < 0.3 nm (研磨およびエピタキシーの表面処理)

備考:
円弧角度 (R < 2 mm) は、Ga 面と N 面を区別するために使用されます。

寸法 10×10.5mm2
厚さ 350±25μm
オリエンテーション C面(0001) M軸方向へのオフ角 0.35 ±0.15°
伝導タイプ N型 N型 半絶縁
比抵抗(300K) < 0.1Ω・cm < 0.05Ω・cm > 106Ω・cm
TTV ≦10μm
- 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Ga面の表面粗さ < 0.2 nm (研磨済み)
または < 0.3 nm (エピタキシーのための研磨および表面処理)
N面の表面粗さ 0.5~1.5μm
オプション: 1~3 nm (ファイングラウンド);< 0.2 nm (研磨済み)
転位密度 1×10から5~3×106cm-2(CLで計算)*
マクロ欠陥密度 0cm-2
使用可能面積 > 90% (エッジ除外)
パッケージ クラス 100 のクリーン ルーム環境で、窒素雰囲気下で 6 個の PCS コンテナーにパッケージ化されています。

*中国の国家規格 (GB/T32282-2015)

GaN 基板 Ga 面の表面粗さ < 0.2 nm (研磨) または < 0.3 nm (研磨およびエピタキシーの表面処理)

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q:納期はどのくらいですか?
通常、在庫がある場合は3~5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか?
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。

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GaN 基板 Ga 面の表面粗さ < 0.2 nm (研磨) または < 0.3 nm (研磨およびエピタキシーの表面処理)

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型式番号 :
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GaN 基板 Ga 面の表面粗さ < 0.2 nm (研磨) または < 0.3 nm (研磨およびエピタキシーの表面処理)

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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shanghai, shanghai
ありがとうございました 2020
事業形態 :
製造業者
主な製品 :
, ,
従業員数 :
>100
認証レベル :
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