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IRG7PSH54K10DPBF
IRG7PSH54K10DPBF
仕様
ゲート・エミッター漏れ電流: :
200 nA
製品カテゴリー: :
IGBTトランジスタ
マウントスタイル: :
穴を抜ける
25°Cの連続電流: :
120 A
Pd -電力損失: :
520 W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス: :
1200V
パッケージ/ケース: :
TO-247-3
最大動作温度: :
+150C
ゲートエミッター最大電圧: :
+/- 30V
パッケージ: :
トューブ
設定: :
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧: :
2.4 V
メーカー: :
IR / インフィニオン
記述
IR/InfineonのIRG7PSH54K10DPBFは,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で, オリジナルと新しいパーツです.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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IRG7PSH54K10DPBF

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製品詳細
ゲート・エミッター漏れ電流: :
200 nA
製品カテゴリー: :
IGBTトランジスタ
マウントスタイル: :
穴を抜ける
25°Cの連続電流: :
120 A
Pd -電力損失: :
520 W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス: :
1200V
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IRG7PSH54K10DPBF

UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 年数
shenzhen
ありがとうございました 2013
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1.000.000.00-30.000.000.00
従業員数 :
15~25
認証レベル :
Active Member
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