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STGP30H65F
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仕様
ゲート・エミッター漏れ電流: :
250nA
製品カテゴリー: :
IGBTトランジスタ
マウントスタイル: :
穴を抜ける
25°Cの連続電流: :
60 A
Pd -電力損失: :
260 W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス: :
650ボルト
パッケージ/ケース: :
TO-220-3
最大動作温度: :
+ 175 C
ゲートエミッター最大電圧: :
+/- 20ボルト
パッケージ: :
トューブ
設定: :
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧: :
2.4 V
メーカー: :
STMマイクロ電子機器
記述 :
IGBT トランジスタ トレンチ gte フィールドストップ IGBT 600V 30A
記述
STGP30H65Fは,STMmicroelectronicsから,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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STGP30H65F

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製品詳細
ゲート・エミッター漏れ電流: :
250nA
製品カテゴリー: :
IGBTトランジスタ
マウントスタイル: :
穴を抜ける
25°Cの連続電流: :
60 A
Pd -電力損失: :
260 W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス: :
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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 年数
shenzhen
ありがとうございました 2013
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1.000.000.00-30.000.000.00
従業員数 :
15~25
認証レベル :
Active Member
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