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IXBF55N300
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IXBF55N300
仕様
ゲート・エミッター漏れ電流: :
+/- 200 nA
製品カテゴリー: :
IGBTトランジスタ
マウントスタイル: :
穴を抜ける
25°Cの連続電流: :
86A
Pd -電力損失: :
357 W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス: :
3つのKV
パッケージ/ケース: :
ISOPLUS i4-Pak-3について
最大動作温度: :
+150C
ゲートエミッター最大電圧: :
+/- 25V
設定: :
シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧: :
2.7 V
メーカー: :
IXYS
記述 :
IGBT トランジスタ 高電圧 高増幅 BIMOSFET
記述
IXYSのIXBF55N300は,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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IXBF55N300

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製品詳細
ゲート・エミッター漏れ電流: :
+/- 200 nA
製品カテゴリー: :
IGBTトランジスタ
マウントスタイル: :
穴を抜ける
25°Cの連続電流: :
86A
Pd -電力損失: :
357 W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス: :
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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 年数
shenzhen
ありがとうございました 2013
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1.000.000.00-30.000.000.00
従業員数 :
15~25
認証レベル :
Active Member
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