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NGTG15N60S1EG
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仕様
ゲート・エミッター漏れ電流: :
100 nA
製品カテゴリー: :
IGBTトランジスタ
マウントスタイル: :
穴を抜ける
25°Cの連続電流: :
30 A
Pd -電力損失: :
47W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス: :
600V
パッケージ/ケース: :
TO-220
パッケージ: :
トューブ
ゲートエミッター最大電圧: :
20V
コレクター・エミッター 飽和電圧: :
1.95 V
メーカー: :
一半
記述 :
IGBT トランジスタ 15A 600V IGBT
記述
NGTG15N60S1EGは,onsemiから,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格を持っています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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NGTG15N60S1EG

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製品詳細
ゲート・エミッター漏れ電流: :
100 nA
製品カテゴリー: :
IGBTトランジスタ
マウントスタイル: :
穴を抜ける
25°Cの連続電流: :
30 A
Pd -電力損失: :
47W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス: :
600V
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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 年数
shenzhen
ありがとうございました 2013
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1.000.000.00-30.000.000.00
従業員数 :
15~25
認証レベル :
Active Member
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