仕様
カテゴリー :
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
84 A
製品の状況 :
アクティブ
マウントタイプ :
シャーシマウント
パッケージ :
トューブ
シリーズ :
-
パッケージ/ケース :
SOT-227-4
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :
3.2V @ 15V,50A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :
1200V
供給者のデバイスパッケージ :
SOT-227
Mfr :
マイクロチップ技術
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大) :
1.1ミリアンペア
IGBTタイプ :
NPT
パワー - マックス :
417W
インプット :
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce :
5.55 nF @ 25V
構成 :
シングル
NTC サーミストール :
ありません
基本製品番号 :
APT50GR120
記述 :
IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
記述
IGBT モジュール NPT シングル 1200 V 84 A 417 W シャーシマウント SOT-227
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APT50GR120JD30

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離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大) :
84 A
製品の状況 :
アクティブ
マウントタイプ :
シャーシマウント
パッケージ :
トューブ
シリーズ :
-
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APT50GR120JD30

Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd.

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2 年数
hongkong
ありがとうございました 2016
主な製品 :
, ,
年間総額 :
1 Million-2.5 Million
従業員数 :
20~50
認証レベル :
Active Member
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